再突破！华润微发布SiC MOSFET新品彰显核心竞争力

12月17日下午，华润微重磅发布自主研发量产的SiC MOSFET产品，这是华润微继去年SiC二极管产品上市后的又一大作，进一步丰富了公司的SiC产品系列，是公司在宽禁带领域的又一里程碑。

华润微功率器件事业群邓旻熙作SiC专题报告，内容包括SiC 功率器件材料性能及应用领域、市场及驱动力、SiC产品规划、产品系统实测及解决方案等方面。

作为国内领先的Si基功率器件供应商，华润微拥有丰富的Si基功率器件经验，前瞻性布局宽禁带半导体器件领域，利用全产业链优势，从产品设计、制造工艺、封装技术和系统应用等方面大力推进SiC器件产品产业化。

公司自主研发的第一代650V/1200V SiC JBS产品从去年7月份就已推向市场，实现销售突破，进入目标领域多个标杆客户 ；此次发布会同期推出第二代650V/1200V SiC JBS产品。公司硅基GaN产品8吋线与6吋线同步开启研发，第一代650V硅基氮化镓Cascode器件样品静态参数达到国外对标水平；自主研发的第一代650V硅基氮化镓E-mode器件实现器件功能。

发布会现场，华润微电子功率器件事业群运营副总经理庄恒前致欢迎辞，并表示功率器件事业群将聚焦功率器件，进一步做大功率器件业务，在重庆打造中国领先的功率半导体研发和制造基地。